Kennzeichnung von Halbleitern: Unterschied zwischen den Versionen
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In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden. | In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden. | ||
Der erste Buchstabe gibt dabei das Halbleitermaterial an, der zweite das Anwendungsfeld. Die folgenden drei Ziffern lassen keine weiteren | Der erste Buchstabe gibt dabei das Halbleitermaterial an, der zweite das Anwendungsfeld. Die folgenden drei Ziffern lassen keine weiteren Rückschlüsse zu - eine Unterscheidung von NPN- und PNP-Transistoren ist beispielsweise nicht möglich. Den Ziffern kann ein weiterer Buchstabe folgen, der dann bei Transistoren die Verstärkungsklasse angibt. | ||
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** P - Strahlungsempfindliches Bauelement | ** P - Strahlungsempfindliches Bauelement | ||
** R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie | ** R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie für Schalt- und Steuerzwecke | ||
** S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung | ** S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung | ||
** T - Thyristor (steuerbare Si-Zelle) | ** T - Thyristor (steuerbare Si-Zelle) | ||
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== Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC) == | == Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC) == | ||
Genaue Informationen | Genaue Informationen müssten auf der [http://www.JEDEC.org JEDEC]-Homepage zu finden sein. Aber da ich etwas gegen Zwangsregistrieren habe gebe ich nur das wieder was ich meinem Hirn so finde ;) | ||
*Anzahl der Sperrschichten | *Anzahl der Sperrschichten | ||
**1 Diode | **1 Diode | ||
**2 Transistor | **2 Transistor | ||
Version vom 7. Dezember 2006, 11:31 Uhr
Es gibt im GroÃ?en und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).
Eine englische �bersicht ist auf dieser Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standard vorziehen (sofern dieser zu finden ist).
Europa (Pro-Electron)
Genaue Informationen sind auf der Pro-Electron-Homepage zu finden. In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden.
Der erste Buchstabe gibt dabei das Halbleitermaterial an, der zweite das Anwendungsfeld. Die folgenden drei Ziffern lassen keine weiteren Rückschlüsse zu - eine Unterscheidung von NPN- und PNP-Transistoren ist beispielsweise nicht möglich. Den Ziffern kann ein weiterer Buchstabe folgen, der dann bei Transistoren die Verstärkungsklasse angibt.
- 1. Buchstabe (Ausgangsmaterial)
- A - Germanium
- B - Silizium
- C - Selen
- R - Halbleiter für fotoelektronische Bauelemente
- 2. Buchstabe (Verwendung)
- A - Kleinleistungs Diode
- B - Vari-Cap
- C - Kleinleistungs Transistor (NF, max. 30MHz, bis ca. 500 mW)
- D - Leistungstrasistor (NF)
- E - Tunneldiode
- F - Hochfrequenz bzw. bipolare Typen (240..1800 MHz)
- L - HF-Leistungstransistor
- P - Strahlungsempfindliches Bauelement
- R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie für Schalt- und Steuerzwecke
- S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung
- T - Thyristor (steuerbare Si-Zelle)
- U - Leistungsschalttransistor
- Y - Gleichrichter-Diode
- Z - Zenerdiode
- 3. Weitere vom Hersteller vergebene Ziffern/Buchstaben
z. B. BC547A
Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC)
Genaue Informationen müssten auf der JEDEC-Homepage zu finden sein. Aber da ich etwas gegen Zwangsregistrieren habe gebe ich nur das wieder was ich meinem Hirn so finde ;)
- Anzahl der Sperrschichten
- 1 Diode
- 2 Transistor
- 3 Transistor
- 4 Thyristor
- N
- Laufziffer vom Hersteller
z. B. 2N2222 oder 1N4148
Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)
Das sind die lustigen Bauteile mit dem 2SC usw.. weiteres siehe z.B Url in der Einleitung.