Kennzeichnung von Halbleitern: Unterschied zwischen den Versionen

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** E - Tunneldiode  
** E - Tunneldiode  
** F - Hochfrequenz bzw. bipolare Typen (240..1800 MHz)
** F - Hochfrequenz bzw. bipolare Typen (240..1800 MHz)
** K - Kapazitäts diode
** L - HF-Leistungstransistor
** L - HF-Leistungstransistor
** P - Strahlungsempfindliches Bauelement
** P - Strahlungsempfindliches Bauelement
** Q - LED,Laser
** R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie für Schalt- und Steuerzwecke  
** R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie für Schalt- und Steuerzwecke  
** S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung
** S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung

Version vom 19. Juni 2007, 06:44 Uhr


Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).

Eine englische Übersicht ist auf dieser Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standard vorziehen (sofern dieser zu finden ist).

Europa (Pro-Electron)

Genaue Informationen sind auf der Pro-Electron-Homepage zu finden. In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden.

Der erste Buchstabe gibt dabei das Halbleitermaterial an, der zweite das Anwendungsfeld. Die folgenden drei Ziffern lassen keine weiteren Rückschlüsse zu - eine Unterscheidung von NPN- und PNP-Transistoren ist beispielsweise nicht möglich. Den Ziffern kann ein weiterer Buchstabe folgen, der dann bei Transistoren die Verstärkungsklasse angibt.

  • 1. Buchstabe (Ausgangsmaterial)
    • A - Germanium
    • B - Silizium
    • C - Selen
    • R - Halbleiter für fotoelektronische Bauelemente
  • 2. Buchstabe (Verwendung)
    • A - Kleinleistungs Diode
    • B - Vari-Cap
    • C - Kleinleistungs Transistor (NF, max. 30MHz, bis ca. 500 mW)
    • D - Leistungstrasistor (NF)
    • E - Tunneldiode
    • F - Hochfrequenz bzw. bipolare Typen (240..1800 MHz)
    • K - Kapazitäts diode
    • L - HF-Leistungstransistor
    • P - Strahlungsempfindliches Bauelement
    • Q - LED,Laser
    • R - Halbleiterbauelement mit Durchbruchskennlinie für Schalt- und Steuerzwecke
    • S - Schalttransistor, niedrige Verlustleistung
    • T - Thyristor (steuerbare Si-Zelle)
    • U - Leistungsschalttransistor
    • Y - Gleichrichter-Diode
    • Z - Zenerdiode
  • 3. Weitere vom Hersteller vergebene Ziffern/Buchstaben

z. B. BC547A

Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC)

Genaue Informationen müssten auf der JEDEC-Homepage zu finden sein. Aber da ich etwas gegen Zwangsregistrieren habe gebe ich nur das wieder was ich meinem Hirn so finde ;)

  • Anzahl der Sperrschichten
    • 1 Diode
    • 2 Transistor
    • 3 Transistor
    • 4 Thyristor
  • N
  • Laufziffer vom Hersteller

z. B. 2N2222 oder 1N4148

Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)

Das sind die lustigen Bauteile mit dem 2SC usw.. weiteres siehe z.B Url in der Einleitung.