Kennzeichnung von Halbleitern: Unterschied zwischen den Versionen
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Version vom 30. Juni 2005, 21:46 Uhr
Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).
Eine englische Übersicht ist auf dieser Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standart vorziehen (sofern dieser zu finden ist).
Europa (Pro-Electron)
Genaue Informationen sind auf der Pro-Electron-Homepage zu finden. In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden.
Ein Kurzfassung möchte ich aber hier nochmal bieten:
- 1. Buchstabe (Ausgangsmaterial)
- A - Germanium
- B - Silizium
- 2. Buchstabe (Verwendung)
- A - Kleinleistungs Diode
- B - Vari-Cap
- C - Kleinleistungs Transistor (AF, Audio-Frequency = ... max 30MHz)
- D - Leistungstrasistor (AF)
- U - Leistungsschalttransistor
- Y - Gleichrichter-Diode
- Z - Z-Diode
- 3. Weitere vom Hersteller vergebene Ziffern/Buchstaben
Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC)
Genaue Informationen müssten auf der JEDEC-Homepage zu finden sein.. Aber da ich etwas gegen Zwangsregistrieren habe gebe ich nur das wieder was ich meinem Hirn so finde ;)
- Anzahl der Sperrschichten
- 1 Diode
- 2 Transistor
- 3 Transistor
- 4 Thyristor
- N
- Laufziffer vom Hersteller
z.b 2N2222 oder 1N4148
Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)
Das sind die lustigen Bauteile mit dem 2SC usw.. weiteres siehe z.B Url in der Einleitung.