Kennzeichnung von Halbleitern: Unterschied zwischen den Versionen

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Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).
Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).


Eine englische Übersicht ist auf [[http://repairfaq.cis.upenn.edu/sam/tshoot.htm#tshmtrd|dieser]] Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standart vorziehen (sofern dieser zu finden ist).
Eine englische Übersicht ist auf [http://repairfaq.cis.upenn.edu/sam/tshoot.htm#tshmtrd dieser] Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standard vorziehen (sofern dieser zu finden ist).


== Europa (Pro-Electron) ==
== Europa (Pro-Electron) ==


Genaue Informationen sind auf der [[http://www.eeca.org/pro_elec.htm|Pro-Electron]]-Homepage zu finden.
Informationen von [http://www.eusemiconductors.eu//images/downloads/PRO%20ELECTRON_D15%20final%20version%202007_12%20ESIA%20updated%2016%2007%2010.pdf]-
In der verlinkten PDF-Datei(Pro Electron Booklet - Twelfth Edition ? 2005-04) ab Kapitel 4 ist eine genaue Auflistung zu finden.


Ein Kurzfassung möchte ich aber hier nochmal bieten:
*1. Buchstabe informiert über das aktive Halbleitermaterial
** A - Germanium o.a. Material mit Bandlücke 0,6-1eV
** B - Silizium o.a. Material mit einer Bandlücke 1,0-1,3eV
** C - Gallium-Arsenid o.a. Material mit einer Bandlücke 1,0-1,3eV
** D - Keramik
** R - Verbund-Material z.B. Galliumsulphid


*2. Buchstabe bezeichnet die beabsichtigte primäre Verwendung
** A - Kleinleistungsdiode
** B - Kapazitätsdiode
** C - NF Kleinleistungstransistor
** D - NF Leistungstransistor
** E - Tunneldiode
** F - HF Kleinleistungstransistor
** G - Mehrfachbauteile, Verschiedenes
** H - Hall-Diode magnetfeldsensitiv
** K - Kapazität
** L - HF Leistungstransistor
** M - Mischer
** N - Fotokoppler
** P - Strahlungsempfindliches Bauelement
** Q - Strahlungssender, LED, Laser
** R - Kleinleistungs Steuerung oder Schalter, Thyristor, Diac, Triac, UJT, PUT, Tetroden oder Opto-triac
** S - Kleinleistungsschalttransistor
** T - Steuerung oder Schalter großer Leistung, Thyristor, Triac
** U - Leistungsschalttransistor
** V - Antennen
** X - Verfielfacherdiode, Varactor (step recovery)
** Y - Gleichrichterdiode, Booster, Spannungsrefferenz oder Regler
** Z - Zenerdiode, Transienten-Supressordiode (TAZ, TVS)der zweite der Anwendungszweck.


*1. Buchstabe (Ausgangsmaterial)
* 3. Es folgt eine von Pro Electron zugewiesene laufende vierstellige Zahl von 0001 bis 9999, oder ein Buchstabe Z, Y, X, usw. und eine dreistellige Zahl von 001 to 999 ohne feste Bedeutung ausser:


** A - Germanium
** A - für triacs nach dem zweiten Buchstabe(=nzB) "R" oder "T"
** B - Silizium
** B - für HBT Transistor (bipolar)
** F - für Sender und Empfänger in Glasfaserkommunikation nzB "G", "P" oder "Q"
** H - für HEMT Transistor
** L - für Laser außer in Glasfasern nzB "G" or "Q" 
** M - für Transistor Treiber nzB "R"
** O - für Opto-Triacs nzB "R"
** R - für Halbleiter Widerstandsnetzwerke nzB "C"
** T - für tri-state zweifarbige LEDs nzB "Q".
** W - für Transienten Suppressor Dioden nzB "Z"


*2. Buchstabe (Verwendung)
** für Fotokoppler: ein Buchstabe und laufende Nummer (auch wenn die laufende Nummer eine Kombination von Zeichen und Buchstaben einer Herstellerbezeichnung ist)


** A - Kleinleistungs Diode
*Beispiele für eine Grundtype sind:
** B - Vari-Cap
** C - Kleinleistungs Transistor (AF, Audio-Frequency = ... max 30MHz)
** D - Leistungstrasistor (AF)


** U - Leistungsschalttransistor
** AA112 Germanium, Kleinleistungsdiode, 
** ACY32 Germanium, NF Kleinleistungstransistor, 
** BD232 Silizium NF Leistungstransistor,


** Y - Gleichrichter-Diode
*4. Nach der Grundtype können folgen:
** Z - Z-Diode
** ein oder zwei Buchstaben die auf eine geringfügige elektrische oder mechanische Abweichung der Grundtype hinweisen. Die Buchstaben haben keine feste Bedeutung, ausser 
** R bedeutet umgekehrte Polarität
** W ist für SMD (Surface Mounted Devices)


*3. Weitere vom Hersteller vergebene Ziffern/Buchstaben
*5. eine Varietät von Suffixen z.B. Toleranzen und Spannungsangaben bei Zenerdioden u.s.weitere Details im Link. Ich hab einiges berichtigt und übersetzt, wer will solls fortführen oder revertieren


== Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC) ==
== Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC) ==


Genaue Informationen müssten auf der [[http://www.JEDEC.org|JEDEC]]-Homepage zu finden sein.. Aber da ich etwas gegen Zwangsregistrieren habe gebe ich nur das wieder was ich meinem Hirn so finde ;)
Ab 1982 neue JEDEC Norm '''JESD370B'''


*Anzahl der Sperrschichten
Aufbau JEDEC-Kennzeichnung:  <'''Nummer'''> <'''Buchstabe'''> <'''Registrierungsnummer'''> <'''optionales Kennzeichen'''>


**1 Diode
*'''Nummer''' entsprach ursprünglich der Anzahl der Halbleiterübergänge, nur mehr der Anschlüsse minus 1
**2 Transistor
**1 2-Anschluss- Bauteile Diode, Diac
**3 Transistor
**2 3-Anschluss- Bauteile Transistor, FET, Thyristor, Triac u.a.
**4 Thyristor
**3 4-Anschluss- Bauteile, Dual-Gate FET u.a.
**4 5-Anschluss- Bauteile, Optokoppler u.a.


*N
*Buchstabe
**N mit Gehäuse engl. die ''case''-Version
**C ohne Gehäuse engl. die ''die''-Version (nackter Kristall bzw. geteilter Wafer/Chip)


*Laufziffer vom Hersteller
*Nummer
**herstellerunabhängige Registrierungsnummer
*optionale Zeichen, Buchstaben und Ziffern sind nicht genormt und somit '''inkonsistent''' siehe Datenblatt


z.b 2N2222 oder 1N4148
== Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)==
Die Folgen 1S bzw. 2S werden oft nicht bedruckt und sind "dazuzudenken"


== Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)==
Kennziffer, S+Buchstabe, Registrierungsnummer,
1S Diode, 2S Transistor 3S Dual-Gate FET
2SA und 2SB *PNP!*
2SC und 2SD *NPN!*
2SK und 2SJ FET


Das sind die lustigen Bauteile mit dem 2SC usw.. weiteres siehe z.B Url in der Einleitung.
Vorsicht, viele Inkonsistenzen, Mehrfachregistrierungen, Belegungsunterschiede je nach Hersteller

Aktuelle Version vom 14. November 2016, 20:20 Uhr


Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).

Eine englische Übersicht ist auf dieser Homepage zu finden... Zumindest bei Pro-Electron würde ich aber den Standard vorziehen (sofern dieser zu finden ist).

Europa (Pro-Electron)

Informationen von [1]-

  • 1. Buchstabe informiert über das aktive Halbleitermaterial
    • A - Germanium o.a. Material mit Bandlücke 0,6-1eV
    • B - Silizium o.a. Material mit einer Bandlücke 1,0-1,3eV
    • C - Gallium-Arsenid o.a. Material mit einer Bandlücke 1,0-1,3eV
    • D - Keramik
    • R - Verbund-Material z.B. Galliumsulphid
  • 2. Buchstabe bezeichnet die beabsichtigte primäre Verwendung
    • A - Kleinleistungsdiode
    • B - Kapazitätsdiode
    • C - NF Kleinleistungstransistor
    • D - NF Leistungstransistor
    • E - Tunneldiode
    • F - HF Kleinleistungstransistor
    • G - Mehrfachbauteile, Verschiedenes
    • H - Hall-Diode magnetfeldsensitiv
    • K - Kapazität
    • L - HF Leistungstransistor
    • M - Mischer
    • N - Fotokoppler
    • P - Strahlungsempfindliches Bauelement
    • Q - Strahlungssender, LED, Laser
    • R - Kleinleistungs Steuerung oder Schalter, Thyristor, Diac, Triac, UJT, PUT, Tetroden oder Opto-triac
    • S - Kleinleistungsschalttransistor
    • T - Steuerung oder Schalter großer Leistung, Thyristor, Triac
    • U - Leistungsschalttransistor
    • V - Antennen
    • X - Verfielfacherdiode, Varactor (step recovery)
    • Y - Gleichrichterdiode, Booster, Spannungsrefferenz oder Regler
    • Z - Zenerdiode, Transienten-Supressordiode (TAZ, TVS)der zweite der Anwendungszweck.
  • 3. Es folgt eine von Pro Electron zugewiesene laufende vierstellige Zahl von 0001 bis 9999, oder ein Buchstabe Z, Y, X, usw. und eine dreistellige Zahl von 001 to 999 ohne feste Bedeutung ausser:
    • A - für triacs nach dem zweiten Buchstabe(=nzB) "R" oder "T"
    • B - für HBT Transistor (bipolar)
    • F - für Sender und Empfänger in Glasfaserkommunikation nzB "G", "P" oder "Q"
    • H - für HEMT Transistor
    • L - für Laser außer in Glasfasern nzB "G" or "Q"
    • M - für Transistor Treiber nzB "R"
    • O - für Opto-Triacs nzB "R"
    • R - für Halbleiter Widerstandsnetzwerke nzB "C"
    • T - für tri-state zweifarbige LEDs nzB "Q".
    • W - für Transienten Suppressor Dioden nzB "Z"
    • für Fotokoppler: ein Buchstabe und laufende Nummer (auch wenn die laufende Nummer eine Kombination von Zeichen und Buchstaben einer Herstellerbezeichnung ist)
  • Beispiele für eine Grundtype sind:
    • AA112 Germanium, Kleinleistungsdiode,
    • ACY32 Germanium, NF Kleinleistungstransistor,
    • BD232 Silizium NF Leistungstransistor,
  • 4. Nach der Grundtype können folgen:
    • ein oder zwei Buchstaben die auf eine geringfügige elektrische oder mechanische Abweichung der Grundtype hinweisen. Die Buchstaben haben keine feste Bedeutung, ausser
    • R bedeutet umgekehrte Polarität
    • W ist für SMD (Surface Mounted Devices)
  • 5. eine Varietät von Suffixen z.B. Toleranzen und Spannungsangaben bei Zenerdioden u.s.weitere Details im Link. Ich hab einiges berichtigt und übersetzt, wer will solls fortführen oder revertieren

Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC)

Ab 1982 neue JEDEC Norm JESD370B

Aufbau JEDEC-Kennzeichnung: <Nummer> <Buchstabe> <Registrierungsnummer> <optionales Kennzeichen>

  • Nummer entsprach ursprünglich der Anzahl der Halbleiterübergänge, nur mehr der Anschlüsse minus 1
    • 1 2-Anschluss- Bauteile Diode, Diac
    • 2 3-Anschluss- Bauteile Transistor, FET, Thyristor, Triac u.a.
    • 3 4-Anschluss- Bauteile, Dual-Gate FET u.a.
    • 4 5-Anschluss- Bauteile, Optokoppler u.a.
  • Buchstabe
    • N mit Gehäuse engl. die case-Version
    • C ohne Gehäuse engl. die die-Version (nackter Kristall bzw. geteilter Wafer/Chip)
  • Nummer
    • herstellerunabhängige Registrierungsnummer
  • optionale Zeichen, Buchstaben und Ziffern sind nicht genormt und somit inkonsistent siehe Datenblatt

Japan (Japanese Industrial Standard = JIS)

Die Folgen 1S bzw. 2S werden oft nicht bedruckt und sind "dazuzudenken"

Kennziffer, S+Buchstabe, Registrierungsnummer, 1S Diode, 2S Transistor 3S Dual-Gate FET 2SA und 2SB *PNP!* 2SC und 2SD *NPN!* 2SK und 2SJ FET

Vorsicht, viele Inkonsistenzen, Mehrfachregistrierungen, Belegungsunterschiede je nach Hersteller