Kennzeichnung von Halbleitern
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Es gibt im Großen und ganzen 3 verschiedene Normen zur Kennzeichnung von Halbleitern (Dioden,Transistoren).
Europa (Pro-Electron)
- 1. Buchstabe (Ausgangsmaterial)
- A - Germanium
- B - Silizium
- C - Selen / Gallium-Arsenid
- 2. Buchstabe (Verwendung)
- A - Kleinleistungs Diode
- B - Vari-Cap
- C - Kleinleistungs Transistor (AF, Audio-Frequency = ... max 30MHz)
- D - Leistungstrasistor (AF)
- E - Tunneldiode
- F - Kleinleistungstransistor (HF, High-Frequency = 240MHz ... 1,8GHz)
- G - Diverse
- H - Hall-Element
- L - Leistung HF
- N - Fotokopplungselement
- P - Strahlungsempfindliches Element
- Q - Stahlungserzeugendes Element
- R - Kleinleistungs-Thyristor
- S - Schalttransistor for kleine Leistungen
- T - Leistungs-Thyristor
- U - Leistungsschalttransistor
- X - Varaktor-Diode
- Y - Gleichrichter-Diode
- Z - Z-Diode
- 3. Weitere vom Hersteller vergebene Ziffern/Buchstaben
Amerika (Joint Electron Device Engineering Council = JEDEC)
- Anzahl der Sperrschichten
- 1 Diode
- 2 Transistor
- 3 Transistor
- 4 Thyristor
- N
- Laufziffer vom Hersteller
z.b 2N2222 oder 1N4148